Tekniset tiedot

• sarja
  HEXFET®
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  P-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  150 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  240mOhm @ 1.3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  49 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1280 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  2.5W (Ta)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  8-SO
• paketti/laukku
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)