NDD60N360U1-35G

NDD60N360U1-35G

Valmistaja

Rochester Electronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    600 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    11A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    360mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    26 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    790 pF @ 50 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    114W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    I-PAK
  • paketti/laukku
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NDD60N360U1-35G Pyydä tarjous

Varastossa 19369
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.08000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.08000

Datasheet