Tekniset tiedot

• sarja
  TrenchMOS™
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  MOSFET (Metal Oxide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  55 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  -
• rds päällä (max) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 1mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±13V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Käyttölämpötila
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Surface Mount
• toimittajan laitepaketti
  SC-73
• paketti/laukku
  TO-261-4, TO-261AA