Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tray
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet-ominaisuus
  Silicon Carbide (SiC)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1200V (1.2kV)
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds päällä (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  -
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  35000pF @ 10V
• teho - max
  1875W
• Käyttölämpötila
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Chassis Mount
• paketti/laukku
  Module
• toimittajan laitepaketti
  Module