RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

Valmistaja

ROHM Semiconductor

tuotekategoria

transistorit - igbts - yksittäinen

Kuvaus

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Active
  • igbt tyyppi
    Trench Field Stop
  • jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
    650 V
  • virta - kollektori (ic) (max)
    144 A
  • virta - kollektorin pulssi (icm)
    320 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 80A
  • teho - max
    404 W
  • vaihtoenergiaa
    2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • syötteen tyyppi
    Standard
  • portin maksu
    171 nC
  • td (päällä/pois) @ 25°c
    45ns/201ns
  • testi kunto
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • käänteinen palautumisaika (trr)
    -
  • Käyttölämpötila
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • paketti/laukku
    TO-247-3
  • toimittajan laitepaketti
    TO-247N

RGTVX6TS65GC11 Pyydä tarjous

Varastossa 8422
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
6.59000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:6.59000

Datasheet