RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Valmistaja

ROHM Semiconductor

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Tekniset tiedot

  • sarja
    -
  • paketti
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    40 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    39A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 1mA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    11.6 nC @ 4.5 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    1450 pF @ 20 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    20W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • toimittajan laitepaketti
    8-HSMT (3.2x3)
  • paketti/laukku
    8-PowerVDFN

RQ3G150GNTB Pyydä tarjous

Varastossa 17988
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.17000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.17000

Datasheet