Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  N-Channel
• teknologiaa
  SiCFET (Silicon Carbide)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1200 V
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
  18V
• rds päällä (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 900µA
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (max)
  +22V, -6V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet-ominaisuus
  -
• tehohäviö (max)
  85W (Tc)
• Käyttölämpötila
  175°C (TJ)
• asennustyyppi
  Through Hole
• toimittajan laitepaketti
  TO-247
• paketti/laukku
  TO-247-3