STP7N65M2

STP7N65M2

Valmistaja

STMicroelectronics

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

Tekniset tiedot

  • sarja
    MDmesh™
  • paketti
    Tube
  • osan tila
    Obsolete
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    650 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    5A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    1.15Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    9 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    270 pF @ 100 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    60W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Through Hole
  • toimittajan laitepaketti
    TO-220
  • paketti/laukku
    TO-220-3

STP7N65M2 Pyydä tarjous

Varastossa 14389
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
1.48000
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:1.48000

Datasheet