-
-
Alhainen hinta Factory-Directin kautta
Työskentele suoraan elektroniikkatehtaan kanssa välimiehen poistamiseksi. Uusi alkuperäinen edulliseen hintaan
-
Turvallinen ja laadukas Luotettavuus
Laadukas vakuutusjärjestelmä tuotteiden erinomaisesta laadusta. Laadukkaiden komponenttien toimitus ajallaan ja joka kerta.
-
Yli 15 miljoonaa varastoa
100+ kuuluisinta maailmanlaajuista valmistajaa, yli 15 miljoonaa varastoa. Saatavilla varastossa, joka tukee ostoa suoraan alennushinnalla.
-
Asiakasystävälliset palvelut
Yhden luukun ratkaisu, joka on räätälöity yksilöllisiin tarpeisiisi. Tuki 12 kielellä verkkosivustolla, lisää mukavuutta ja nopeaa palvelua.
MT3S111TU,LF
Valmistaja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
tuotekategoria
transistorit - bipolaarinen (bjt) - rf
Kuvaus
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Tekniset tiedot
-
sarja-
-
pakettiTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
osan tilaActive
-
transistorin tyyppiNPN
-
jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)6V
-
taajuus - siirtymä10GHz
-
melukuva (db tyyppi @ f)0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
-
saada12.5dB
-
teho - max800mW
-
tasavirtavahvistus (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 30mA, 5V
-
virta - kollektori (ic) (max)100mA
-
Käyttölämpötila150°C (TJ)
-
asennustyyppiSurface Mount
-
paketti/laukku3-SMD, Flat Lead
-
toimittajan laitepakettiUFM
