Tekniset tiedot

• sarja
  -
• paketti
  Tube
• osan tila
  Active
• diodityyppi
  Silicon Carbide Schottky
• jännite - dc taaksepäin (vr) (max)
  650 V
• virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io)
  8A (DC)
• jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos
  1.6 V @ 8 A
• nopeus
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• käänteinen palautumisaika (trr)
  0 ns
• virta - käänteinen vuoto @ vr
  40 µA @ 650 V
• kapasitanssi @ vr, f
  28pF @ 650V, 1MHz
• asennustyyppi
  Through Hole
• paketti/laukku
  TO-220-2
• toimittajan laitepaketti
  TO-220-2L
• käyttölämpötila - risteys
  175°C (Max)