SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

Valmistaja

Vishay / Siliconix

tuotekategoria

transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset

Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Tekniset tiedot

  • sarja
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • paketti
    Tape & Reel (TR)
  • osan tila
    Active
  • fet tyyppi
    N-Channel
  • teknologiaa
    MOSFET (Metal Oxide)
  • tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
    60 V
  • virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
    32A (Tc)
  • käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä)
    4.5V, 10V
  • rds päällä (max) @ id, vgs
    17mOhm @ 7.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • portin lataus (qg) (max) @ vgs
    44 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
    2086 pF @ 30 V
  • fet-ominaisuus
    -
  • tehohäviö (max)
    45W (Tc)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • asennustyyppi
    Surface Mount
  • toimittajan laitepaketti
    PowerPAK® SO-8
  • paketti/laukku
    PowerPAK® SO-8

SQJ464EP-T2_GE3 Pyydä tarjous

Varastossa 28352
Määrä:
Yksikköhinta (viitehinta):
0.36366
Tavoitehinta:
Kaikki yhteensä:0.36366