Tekniset tiedot

• sarja
  Z-FET™
• paketti
  Bulk
• osan tila
  Active
• fet tyyppi
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet-ominaisuus
  Silicon Carbide (SiC)
• tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss)
  1200V (1.2kV)
• virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds päällä (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• portin lataus (qg) (max) @ vgs
  1025nC @ 20V
• tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds
  11700pF @ 600V
• teho - max
  1660W
• Käyttölämpötila
  150°C (TJ)
• asennustyyppi
  Chassis Mount
• paketti/laukku
  Module, Screw Terminals
• toimittajan laitepaketti
  Module